氧化鈹（BeO）結構陶瓷的物理與化學特性

BeO是鈹的唯一氧化物，沒有發現化學計量的變化作文。它以其高化學穩定性而著稱，并具有用于核用途的優異特性，在氧化物中作為優異的電絕緣體與高導熱性。BeO以低溫和高溫兩種形式存在，轉變溫度為2373±15kα形式具有六方纖鋅礦結構，由鈹和氧的六方密堆積晶格相互滲透形成。晶格相對于彼此的位移是不對稱的，給出了一種在晶格中是靜電極性的結構c-軸方向。一個基面由氧原子終止，另一個由鈹原子終止。快速下熱沖擊條件，熱量傳導性不控制的速度傳熱，的抗熱沖輝可能類似于或不如氧化鋁因為相對較低力量。BeO的最大用途是在電子學其高導熱性和良好的電絕緣性使其成為一種有價值的散熱材料，尤其是在高功率器件中。

鈹氧化物（BeO)是一種白色結晶氧化物。它在自然界中以礦物“溴甲烷”。歷史上，鈹氧化物被稱為glucina或者氧化釓。這是一個電絕緣體和它的導熱性是這樣的，它高于任何其他非金屬除了鉆石，實際上超過了一些金屬。它的高熔點使它可以用作耐火材料。

氧化鈹可通過煅燒碳酸鈹、使氫氧化物脫水或用氧氣點燃金屬來制備，如以下反應所示:

BeO + heat ⇒ (BeO)n (ad) ⇒ (BeO)n-1(gas) + ? + BeO(gas)

BeO(ad) ⇒ Be(gas) + O(gas)

在空氣中點燃鈹會產生BeO和氮化物存在3普通2。其化學文摘社編號為1304-56-9，其分子量是25.0116 克/摩爾。它是密度為3.02的白色固體 克/厘米3。它的熔點是2507度 它的沸點是3905度 c，其帶隙(電子)為10.6 伊芙。

這生成熱, ΔHf(固體)is 609.4 kJ/mol，而標準摩爾熵，Sθ(實心)是13.8 J/mol K. Its熱容,Cp，是25.6 高溫下形成的氧化鈹(%3E800 c)是惰性的，但是可以容易地溶解在熱的氟化氫銨水溶液(NH四半2)或濃硫酸的熱溶液(H2因此四)和硫酸銨((NH四)2因此四).

BeO是多態的。低溫形態為六方(hP4)，空間群為P63/mc (#186)。高溫形式β-BeO是四方的(c/2 ),空間群為Im3m。對人體有劇毒。常溫下的BeO具有六方纖鋅礦，不同于第2族的其他成員，其氧化物具有如所示的立方巖鹽結構圖3.1。

所得結構的BeO鍵距離為1.659 0.003 平行于c1.645的軸和三個距離 0.003 完成四面體配位。0.014的差異 具有統計學意義，表明長鍵比其他三個鍵具有更強的離子特性。在高溫下，該結構轉變為四方形式。BeO是一種獨特的金屬化合物，因為它是非離子氧化物。晶格參數是:

α-BeO:a = 0.2288 Å;c = 0.4377 Å (21 c)

β-BeO:a = 0.4751 Å;c = 0.2741 Å (2103 c)

氧化鈹是從天然存在的礦物“綠柱石”-是3鋁2(SiO3)6和“Bertrandite”——是四硅2O七(哦)2，并通過Be(OH)的熱分解產生粉末2。

燒結氧化鈹非常穩定，用于火箭發動機、催化劑、半導體、原子反應堆慢化劑和中子反射器。當它在2500度左右蒸發時 c，如研究使用石墨爐原子吸收光譜法(石墨爐原子吸收光譜法)，鈹有一個霧化機制與其他堿土元素相似，但有一個顯著區別。對于堿土元素(鎂、鈣、鍶和鋇)，游離元素出現之前的物種是簡單的氧化物鉬。另一方面，鈹形成聚合氧化物(BeO)n然后釋放自由元件的過程如下:

BeO + 加熱(BeO)n(ad)BeOn-1(氣體) + ? + BeO(氣體)

BeO(廣告) ⇒ 是(氣體) + 氧氣(氣體)

氧化鈹因其良好的熱穩定性而被用于無線電設備等高性能半導體部件中傳導性同時也是良好的電絕緣體。它在一些熱交換器中用作填料界面材料例如“熱油脂”。一些高功率半導體器件已經使用氧化鈹陶器的在之間硅以便獲得比由al制成的類似結構更高程度的導熱性2O3。它還被用作結構陶瓷用于高性能微波設備、真空管、磁控管和氣體激光器。

導熱性 = 265瓦/米K比熱 = 0.25 cal/ C g (25 c)

熱膨脹 = 8.0 × 10−6英寸/英寸/攝氏度(25至1000 c)

密度 = 2.85 克/立方厘米

耐壓強度 = 225,000 磅/平方英寸

楊氏模量 = 50 × 106 磅/平方英寸

泊松比 = 0.26

電阻率 = 1015 歐姆/厘米

沖擊阻力 = 6英寸磅

最高使用溫度 = 1800 C

來自鈞杰陶瓷的技術陶瓷專家JUNDRO提出了一個觀點：氧化鈹(BeO)是一個太空時代工業陶瓷這種材料提供了任何其他材料都沒有的理想性能組合。其突出的特點是出色的高熱和導熱性，它保留了介電常數、損耗因子和介電力量在大多數電絕緣體的范圍內。除了良好的機械強度和剛度重量比之外，這種獨特的性能組合為設計師提供了一種材料，它可以減小發熱電路的尺寸，同時保留基本的高功率能力和改善的熱穩定性。

對于某些應用，使用BeO單晶更合適。然而，BeO極高的熔點一直是一個阻礙因素。最近，一種繞過這一困難的方法出現了。變大的過程單晶內部基本上沒有表面夾雜物幾天包括促進從熔體中進一步生長晶種的概念作文合適的氧化物形成較低的溫度共晶。當晶種旋轉并從熔體組合物中緩慢拉出時，生長發生。這種熔體的溫度下降使得溫度可以由熔體組合物的液相線曲線來定義相圖。成長單晶氧化鈹的溫度大約是1980度 c由具有56 重量%氧化鈹和44 重量%鈣氧化物就是這個過程的一個例子。單晶可以切割成薄片用于集成電路。

燒結氧化鈹是一種有前途的熱發光對熱中子敏感度非常低的材料(0.2伽馬射線每1010個中子/厘米的當量2).它對伽馬射線具有相當高的靈敏度，以及良好的能量響應。這些性質使得氧化鈹能夠成功地用于熱中子和伽馬射線的混合領域，例如存在于核反應堆設施中的領域。