鋁基碳化硅的性能特點

  鋁基碳化硅的應用非常廣泛，這種新材料的應用也是我們國內電子產業快速發展的一個重要的標志，鈞杰陶瓷專業加工各種陶瓷材料，和陶瓷復合材料，鋁基碳化硅這種材料我們可以進行精密加工，開孔，銑槽，甚至是螺紋加工都可以做到高精度，鋁基碳化硅緊密加工鈞杰陶瓷：134_128_56568。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）具有高導熱率（180～240W/mK）和可調的熱膨脹系數（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC（鋁基碳化硅）的熱膨脹系數與半導體芯片 和陶瓷基片實現良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC（鋁基碳化硅）基板上；另一方面AlSiC（鋁基碳化硅）的熱導率是可伐合金的十倍，芯片 產生的熱量可以及時散發。這樣，整個元器件的可靠性和穩定性大大提高。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）是復合材料，其熱膨脹系數等性能可通過改變其組成而加以調整，因此產品可按用戶的具體要求而靈活地設計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統的金 屬材料或陶瓷材料無法作到的。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）的密度與鋁相當，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領域的應用。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC（鋁基碳化硅）的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環境（震動較大，如航天、汽車等領域）下的首選材料。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC（鋁基碳化硅）基板上，用粘結劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC（鋁基碳化硅）粘合。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）的物理性能及力學性能都是各向同性的。 使用AlSiC（鋁基碳化硅）材料的意義

■ 可以使集成電路的封裝性能大幅提高，使用鋁碳化硅材料進行電子封裝，使封裝體與芯片的受熱膨脹相一致，并起到良好的導熱功能，解決了電路的熱失效問題；

■ 批量使用AlSiC（鋁基碳化硅）材料，可以降低封裝成本。本公司對于長期和大批量的訂貨實行特別優惠，比目前使用W-Cu、Mo等貴金屬材料價格要便宜得多；

■ 有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領域封裝技術水平，提高功能，降低成本，加快我國航天和軍工產品的先進化。例如，過去以可伐（Kovar） 材料作為器件封裝外殼的地方，如果換作鋁碳化硅外殼，重量就可減少為原來的三分之一，而導熱性能則增加為原來的十倍。

■ AlSiC（鋁基碳化硅）封裝材料的開發成功，標志著中國企業不再是在封裝領域內一個單純的藍領和加工者的角色，而是已經有了自己的具備獨立技術內核的封裝領先產品，填 補了國內空白，在封裝領域內是一項巨大的技術進步；使用西安創正新材料有限公司生產的AlSiC（鋁基碳化硅）,就是支持民族工業，為相關領域的國產化做貢獻。

■ 優優越的性能使AlSiC（鋁基碳化硅）比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現用封裝材料具有更廣闊的越的性能使AlSiC（鋁基碳化硅）比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現用封裝材料具有更廣闊的使用空間 AlSiC（鋁基碳化硅）材料的性能 AlSiC（鋁基碳化硅）7牌號密度3.0±0.05 g/cm3;抗彎強度400MPa體積分數：70±3%熱導：≥180W/Mk,20℃）比熱：0.75J/gk,20℃電阻率：2.1 x10-5 W·cm線膨脹系數8.0±0.5x10-6(50-150℃)

AlSiC（鋁基碳化硅）材料的應用 大功率率IGBT 散熱基板；LED封裝照明；航空航天；微電子；殼體封裝；新能源汽車、民用飛機、高鐵等領域