鋁基碳化硅在功率半導體行業發展趨勢

隨著新能源、電動汽車、軌道交通、智能電網等行業的快速發展，提高了電力電子技術對高溫、高壓、高頻、高功率等方面的要求，催生了以鋁基碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料的興起。鈞杰陶瓷擁有先進的生產設備,并且還有一群一流的生產技術管理人員,產品質量現已達到國內先進的水準.鈞杰陶瓷專注品質第一,服務至上,求實創新,持續改善公司的經營理念,最大限度地提供令客戶滿意的產品,真誠的與廣大新老客戶攜手合作,永續經營之道.客戶可來樣來圖訂制各類陶瓷工件，陶瓷結構件,歡迎來電咨詢鈞杰陶瓷聯系電話：134 128 56568。

功率半導體器件行業概述
功率半導體器件是一種基礎性電子元器件，廣泛應用于電力電子行業當中，起到電力設備的電能變換和電路控制的作用，迄今為止已有60年的歷史，已逐漸從傳統工業制造和4C產業向新能源、電力機車、智能電網等領域發展，擁有完整的生命周期。

概括來看，功率半導體器件目前主要有三大類：功率IC、功率模組、分立功率半導體器件，功率IC是將分立功率半導體器件與驅動、控制等外圍電路集成，功率模組是將多個分立功率半導體器件進行模塊化封裝，也因此，分立功率半導體器件是功率半導體器件中的關鍵，且重點以功率二極管、MOSFET、IGBT為主。

2017年全球功率半導體器件市場規模達181.5億美元，其中大陸市場占到40%的份額，年復合增長率維持在3%以上，同時，功率IC、MOSFET、二極管/整流橋、IGBT，分別占到54%、17%、15%、12%的市場份額，除二極管中國大陸發展較好以外，MOSFET與IGBT主要還是集中在國際大廠手中，如英飛凌、安森美、瑞薩、三菱電機、富士電機等等。

概括來看，功率半導體器件目前主要有三大類：功率IC、功率模組、分立功率半導體器件，功率IC是將分立功率半導體器件與驅動、控制等外圍電路集成，功率模組是將多個分立功率半導體器件進行模塊化封裝，也因此，分立功率半導體器件是功率半導體器件中的關鍵，且重點以功率二極管、MOSFET、IGBT為主。

2017年全球功率半導體器件市場規模達181.5億美元，其中大陸市場占到40%的份額，年復合增長率維持在3%以上，同時，功率IC、MOSFET、二極管/整流橋、IGBT，分別占到54%、17%、15%、12%的市場份額，除二極管中國大陸發展較好以外，MOSFET與IGBT主要還是集中在國際大廠手中，如英飛凌、安森美、瑞薩、三菱電機、富士電機等等。

為了滿足越來越高的指標要求，功率半導體器件不斷地進行著技術的演進，除了更改器件結構、縮短線寬制程、加大集成調整，采用更先進的工藝與技術外，功率半導體器件本身材料的改變也成為了一個很重要的發展方向，逐漸從單一的硅材料覆蓋到鋁基碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料，國際大廠已紛紛加碼，如：

2016年，安森美以24億美元收購仙童公司獲得高壓SiC SBD技術；

2018年，英飛凌收購一家名為Siltectra的初創公司，將一項”冷切割“的高效晶體材料加工工藝收入囊中，用于鋁基碳化硅晶圓的切割；

2019年，Cree剝離照明業務，專注于化合物半導體射頻和功率應用市場，以滿足5G通信和新能源汽車的市場需求，同年宣布斥資10億美元，擴大鋁基碳化硅產能；

此外，日本昭和電工近兩年已三度進行了鋁基碳化硅晶圓的擴產，代工廠方面的德國X-Fab、臺灣漢磊也都斥資新建鋁基碳化硅生產線。

鋁基碳化硅行業儼然已成為功率半導體器件行業的新戰場。

第三代半導體，由于在物理結構上具有能級禁帶寬的特點，又稱為寬禁帶半導體，主要是以氮化鎵和鋁基碳化硅為代表，其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優勢，從而能夠開發出更適應高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件，可有效突破傳統硅基功率半導體器件及其材料的物理極限。

在鋁基碳化硅與氮化鎵的應用區分方面，鋁基碳化硅目前主要是用在650V以上的高壓功率器件領域，而氮化鎵主要是用在650V以下的中低壓功率器件領域及微波射頻和光電領域。在鋁基碳化硅與氮化鎵的應用區分方面，鋁基碳化硅目前主要是用在650V以上的高壓功率器件領域，而氮化鎵主要是用在650V以下的中低壓功率器件領域及微波射頻和光電領域。